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Void-less reflow with plasma

在手機等最新電子設備上搭載的LSI,表面封裝的BGA包裝以及晶片尺寸封裝被大量採用。透過印刷法形成BGA、CSP的 Bump,在晶片上印刷焊錫膏後,用回流爐將粘貼中的焊錫粒子熔化,形成球形 Bump。
但是,在無鉛處理和 Bump 微細化的進展,凸起時產生的氣泡(void)引起的焊接不良成為問題。

MINAMI在回焊爐工程上的主要區域,在晶片上使用真空空間使焊錫熔化。
達到焊錫的溶解溫度(熔點)時,焊錫會從粉末變成液化狀態,合金會變化成流動性。
在這個時間點透過“加熱+抽真空” 晶片來吸引焊錫內的氣體。
根據此工程,比起一般的氮回焊爐,更可以減少减少氣泡(void)的產生。

等離子
透過選配的等離子功能,可以去除焊錫表面的氧化膜,無熔劑的回流變得可以達成。
焊接熔化過程
N2回流和N2+真空回流的比較

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N2回流可以看到部分產生白色氣泡,N2+真空回流側則沒有氣泡產生。


MINAMI的真空裝置附帶回流,晶片的移動範圍在直徑約1.8米的圓周內。
因此更容易提高氣密性,透過注入氮氣可以將氧氣减少到50ppm以下。
並且抑制氧化膜的生成,可以生產低氧氣。
除了高氣密構造外,回流區域還配備了真空無縫裝置。
可以用真空室吸去不能徹底减少的BGA・CSP凸起的氣泡(void),形成沒有空隙的均勻的Bump。

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